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    河北十一选五top10遗漏:NTP110N65S3HF,安森美半导体NTP110N65S3HF650V30APUPERFET®III功率MOSFET

    吉林十一选五前三直 www.bftbg.net 发布时间:2019/3/18 15:07:00 访问次数:104 发布企业:深圳市和谐世家电子有限公司

    安森美半导体NTP110N65S3HF650V30APUPERFETIII功率MOSFET安森美半导体NTP110N65S3HF650V30A的SuperFETIII功率MOSFET是采用电荷平衡技术导通电阻和低栅极电荷性能优异的低一高电压超结(SJ)MOSFET。电荷平衡技术可最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能够承受极高的dV/dt速率。NTP110N65S3HFSUPERFETIIIMOSFET非常适合需要小型化和高效率的电源系统。NTP110N65S3HF还具有优化的反向恢复体二极管性能,从而减少了所需的额外元件数量,提高了系统可靠性。
    NTP110N65S3HFSUPERFETIII功率MOSFET采用TO-220-3L封装。该器件无铅且符合RoHS标准。
    特征
    [email protected]=150°C
    典型RDS(on)=98mΩ
    超低栅极电荷(典型值Qg=62nC)
    低效输出电容(典型值Coss(eff。)=522μF)
    出色的体二极管性能(低Qrr,坚固的体二极管)
    优化的电容
    低温运行时系统可靠性高
    低开关损耗
    LLC和相移全桥电路的高系统可靠性
    低峰值Vds和低Vgs振荡
    100%雪崩测试
    包装类型:TO-220-3L
    无铅,符合RoHS标准
    应用
    电信/服务器电源
    工业电源
    EV充电器
    UPS
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    安森美半导体NTB110N65S3HF650V30APUPERFETIII功率MOSFET采用电荷平衡技术的高压超级结(SJ)MOSFET,采用D2PAK-3封装。
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    NTP110N65S3HFSUPERFETIII功率MOSFET采用TO-220-3L封装。该器件无铅且符合RoHS标准。
    特征
    [email protected]=150°C
    典型RDS(on)=98mΩ
    超低栅极电荷(典型值Qg=62nC)
    低效输出电容(典型值Coss(eff。)=522μF)
    出色的体二极管性能(低Qrr,坚固的体二极管)
    优化的电容
    低温运行时系统可靠性高
    低开关损耗
    LLC和相移全桥电路的高系统可靠性
    低峰值Vds和低Vgs振荡
    100%雪崩测试
    包装类型:TO-220-3L
    无铅,符合RoHS标准
    应用
    电信/服务器电源
    工业电源
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    NTP110N65S3HFSUPERFETIII功率MOSFET采用TO-220-3L封装。该器件无铅且符合RoHS标准。
    特征
    [email protected]=150°C
    典型RDS(on)=98mΩ
    超低栅极电荷(典型值Qg=62nC)
    低效输出电容(典型值Coss(eff。)=522μF)
    出色的体二极管性能(低Qrr,坚固的体二极管)
    优化的电容
    低温运行时系统可靠性高
    低开关损耗
    LLC和相移全桥电路的高系统可靠性
    低峰值Vds和低Vgs振荡
    100%雪崩测试
    包装类型:TO-220-3L
    无铅,符合RoHS标准
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    NTP110N65S3HFSUPERFETIII功率MOSFET采用TO-220-3L封装。该器件无铅且符合RoHS标准。
    特征
    [email protected]=150°C
    典型RDS(on)=98mΩ
    超低栅极电荷(典型值Qg=62nC)
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    NTP110N65S3HFSUPERFETIII功率MOSFET采用TO-220-3L封装。该器件无铅且符合RoHS标准。
    特征
    [email protected]=150°C
    典型RDS(on)=98mΩ
    超低栅极电荷(典型值Qg=62nC)
    低效输出电容(典型值Coss(eff。)=522μF)
    出色的体二极管性能(低Qrr,坚固的体二极管)
    优化的电容
    低温运行时系统可靠性高
    低开关损耗
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    100%雪崩测试
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    [email protected]=150°C
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    低开关损耗
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    特征 700V @ TJ= 150°C 典型RDS(on)=98mΩ 超低栅极电荷(典型值Qg= 62nC) 低效输出电容(典型值Coss(eff。)=522μF) 出色的体二极管性能(低Qrr,坚固的体二极管) 优化的电容 低温运行时系统可靠性高 低开关损耗 LLC和相移全桥电路的高系统可靠性 低峰值Vds和低Vgs振荡 100%雪崩测试 包装类型:TO-220-3L 无铅,符合RoHS标准 应用 电信/服务器电源 工业电源 EV充电器 UPS /太阳能
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