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    河北十一选五开奖杳询:OC5028B

    吉林十一选五前三直 www.bftbg.net 发布时间:2019/3/18 12:03:00 访问次数:99 发布企业:深圳市哲瀚电子科技有限公司

    OC5028B是一款内置 100V 功率MOS 高效率、高精度的开关降压型大功率LED 恒流驱动芯片。

    OC5028B 采用固定关断时间的峰值电流控制方式,关断时间可通过外部电容进行调节,工作频率可根据用户要求而改变。
    OC5028B 通过调节外置的电流采样电阻,能控制高亮度 LED 灯的驱动电流,使 LED 灯亮度达到预期恒定亮度。
    在 DIM 端加 PWM 信号,可以进行LED 灯调光。DIM 端同时支持线性调光。
    OC5028B 内部还集成了 VDD 稳压管以及过温?;さ缏返?,减少外围元件并提
    高系统可靠性。
    OC5028B 采用 ESOP8 封装。散热片内置接 SW 脚。

    特点:
    ◆内置 100V MOS
    ◆宽输入电压范围:3.1V~100V
    ◆高效率:可高达 93%
    ◆支持 PWM 调光和线性调光
    ◆最大工作频率:1MHz
    ◆CS 电压:250mV
    ◆芯片供电欠压?;ぃ?.6V
    ◆关断时间可调
    ◆智能过温?;?br /> ◆内置 VDD 稳压管
    应用:
    ◆自行车、电动车、摩托车灯
    ◆强光手电
    ◆LED 射灯
    ◆大功率 LED 照明

    ◆LED 背光

    升压恒流:

    OC6701 3.2~100V 大于输入电压2V以上即可3A以内

    OC6700 3.2~60V 大于输入电压2V以上即可 2A以内

    OC6702 3.2~100V 大于输入电压2V以上即可 1A以内

    降压恒流:

    OC5021 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作5A以内
    OC5020 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作 2A以内
    OC5022 3.2~60V 最少低于输出电压1V以上就可以正常工作 3A以内
    OC5028 3.2~100V 最少低于输出电压1V以上就可以正常工作1.5A以内
    OC5011 5~40V 最少低于输出电压1V以上就可以正常工作5A以内
    OC5010 5~40V 最少低于输出电压1V以上就可以正常工作2A以内

    LED DRIVER DC-DC升降压恒流

    OC4001 5~100V 3.2~100V 3A

    LED DRIVER DC-DC线性降压恒流

    OC7135 2.5-7V 低于等于输入电压即可固定<400mA

    OC7131 2.5-7V 低于等于输入电压即可 可外扩,实际电流决定于MOS管功耗
    OC7130 2.5-30V 低于等于输入电压即可 实际电流决定于IC整体耗散功率

    LED DRIVER DC-DC降压恒流专用IC系列:LED远近光灯专用芯片

    OC5200 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作 2A以内
    OC5208 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作 1.5A以内

    LED DRIVER DC-DC降压恒流专用IC系列:多功能LED手电筒专用芯片

    OC5351 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作5A以内
    OC5331 3.2~100V最少低于输出电压1V以上就可以正常工作 5A以内

    DC-DC降压恒压

    OC5801 8~100V最少低于输出电压5V以上就可以正常工作 3A以内

    OC5800 8~100V最少低于输出电压5V以上就可以正常工作2A以内

    随着半导体芯片的不断发展,运算速度越来越快,芯片发热问题愈发成为制约芯片技术发展的瓶颈,热管理对于开发高性能电子芯片至关重要。近日,复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程团队经过三年努力,在场效应晶体管介电基底的界面修饰领域取得重要进展。该项工作将有望为解决芯片散热问题提供一种介电基底修饰的新技术。

    为解决芯片发热问题,魏大程团队开发了一种共形六方氮化硼(h-BN)修饰技术(即准平衡PECVD)。据魏大程介绍,芯片散热很大程度上受到各种界面的限制,其中导电沟道附近的半导体和介电基底界面尤其重要。六方氮化硼是一种理想的介电基底修饰材料,能够改善半导体和介电基底界面。大量研究表明,六方氮化硼修饰能够降低基底表面粗糙度和杂质对载流子输运的影响,提高器件载流子迁移率。然而,六方氮化硼在界面热耗散领域的潜在应用则往往被忽视。

    “载流子迁移率涉及器件的发热问题,迁移率越高,那么同等电压下发热就越少;而热耗散则关系到如何将这些热量释放掉?!蔽捍蟪探馐偷?,“普通的六方氮化硼,我们将它比喻成一张纸,一张纸覆盖在材料表面难免有缝隙,现有六方氮化硼制备方法中的转移过程会产生更多缝隙,同时引入杂质、缺陷,对研究带来不利影响。而共形六方氮化硼是完全贴合在材料表面的,中间无缝隙,没有杂质混入,更有利于取得好的结果?!?

    “在我们团队研发的这项技术中,共形六方氮化硼是直接在材料表面生长的,不仅完全贴合、不留缝隙,还无需转移?!?据魏大程介绍,共形六方氮化硼修饰后,二硒化钨场效应晶体管器件迁移率显著提高;界面热阻降低;器件工作的最大功率密度提高了2~4倍,高于现有电脑CPU工作的功率密度。这项技术不仅为解决芯片散热问题提供了崭新的思路,同时具有高普适性,可应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件,还可以推广到其他材料和更多器件应用中。此外,该研究中所采用的PECVD技术是一种芯片制造业中常用的制造工艺,使得这种共形六方氮化硼具有规?;陀τ玫木薮笄绷?。

    研究团队未来将继续致力于开发场效应晶体管电学材料,包括共轭有机分子、大分子、低维纳米材料,研究场效应晶体管器件的设计原理以及在光电、化学传感、生物传感等领域的应用。

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