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    吉林十一选五前三直 www.bftbg.net 发布时间:2019/3/16 18:08:00 访问次数:276 发布企业:深圳市兴科泰科技有限公司

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    TK8A50DTK6A60D封装:TO-220F

    TK8A50DTK6A60D参数如下:

    TK8A50D参数表 选取全部项目 类别 分立半导体产品 晶体管-FET,MOSFET-单 制造商 ToshibaSemiconductorandStorage 系列 π-MOSVII 包装 管件 零件状态 在售 FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 500V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 8A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 850毫欧@4A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) [email protected] 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) [email protected] Vgs(最大值) ±30V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) [email protected] FET功能 - 功率耗散(最大值) 40W(Tc) 工作温度 150°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 TO-220SIS 封装/外壳 TO-220-3整包

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    TK8A50DTK6A60D  展望未来,IHS Markit认为,研究中显示的趋势表明,一些面板制造商将关闭传统的液晶显示器(LCD)生产设备或将其转换为有机发光二极管(OLED)生产线,而另一些面板制造商则将推迟在TK8A50DTK6A60D新设施上的投资计划。此外,IHS Markit预测,大型面板显示器更均衡的供应应该会带来更稳定的定价和盈利能力。TK8A50DTK6A60D

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